行业资讯网欢迎您!!!

网站收藏健康资讯网联系我们

导航菜单

ad8032工作原理(一张手机的内存卡那么小,怎么能存放那么多..)

本文目录:

ad8032工作原理

ad8032工作原理

 最佳答案:

      1. 供电与输入输出范围

      - AD8032采用单电源供电,额定电压范围为 2.7 V至 12 V,也可以使用最高?6 V的双电源。

      - 具有轨到轨输入和输出特性,输入电压范围可以扩展至供电轨以外500 mV,输出电压摆幅接近供电轨,仅在供电轨的20 mV以内。

      2. 性能特点

      - 具有80 MHz的小信号带宽和30 V/?s的压摆率,建立时间为125 ns。

      - 每放大器电源电流仅为800 ?A,功耗小于4.0 mW。

      3. 信号质量

      - 在 5 V电源下,对于2 V峰峰值、1 MHz输出信号,总谐波失真(THD)为-62 dBc;对于100 kHz、4.6 V峰峰值信号,THD为-86 dBc。

      4. 应用场景

      - 适合用于高带宽要求的电池供电系统和器件密度高且要求较低功耗的高速系统。

      AD8032通过其高速、低功耗和宽输入输出范围的特点,适用于多种需要高性能放大器的应用场景。

求:识读时间继电器自动控制Y-△控制电路原理图 如下所示

这是利用时间继电器延时自动控制电动机Y-△启动电路。
识读这类电路控制图,要点是首先看电动机主回路,电动机主回路从下往上看;再看控制图,控制图从上往下看,
在电动机主回路中,QS是电路电源总开关;FU1是电动机主回路熔断器;FR是电动机主回路热保护继电器;KM1、KM2、KM3分别是三个中间继电器的动合主触头;
在控制电路中FU2是控制回路的熔断器;FR1是热继电器的动断触头;SB1是电动机停止按钮;SB2是电动机启动按钮;KM1、KM2、KM3分别是中间继电器KM1、KM2、KM3的动合(动断)触头;KT是时间继电器,其相同符号为时间继电器的动断(动合)触头;
我们先看看电动机主电路的接线情况:电动机主电路有三只中间继电器的触头,其中KM1是电源接触器触头,用来接通电动机主电路的电源并将三相电源依次接到电动机的定子绕组首端U1、V1、W1端子,KM2是电动机Y接接触器触头,它的触头端子分别接到电动机的定子绕组末端U2、V2、W2端子,而触头的另一端用导线短接在一起,启动时KM2合上,电动机绕组接成Y形方式启动;KM3是电动机角形接线接触器触头,启动后KM3合上,电动机绕组以三角形方式运行。
我们再看电动机控制电路,控制电路中使用了电动机启动SB2和停止SB1两只按钮和一个通电延时动作时间继电器KT及电动机主电路KM1、定子绕组Y接KM2以及定子绕组△接KM3等三个中间继电器。特别是时间继电器KT它可以对Y接启动时间进行控制,控制电路可以自动从Y接启动状态转换到△接运行状态。
控制电路的动作原理:合上电源开关QS,启动:按下启动按钮SB2,电动机主电路中间继电器KM1、电动机定子绕组Y接继电器KM2和时间继电器KT同时通电。KM1辅助触头闭合保持了SB2的自锁;同时KM1主触头闭合将电源送至电动机,于此同时KM2主触头将电动机定子绕组接成Y接形式,与KM1共同作用使电动机在Y接状态下启动,KM3支路中的KM2辅助动断触头断开,起到互锁作用;时间继电器也在同一时间通电,并经过几秒钟的延时后开始动作,断开KM2支路中的KT延时动断触头,使中间继电器KM2断电,KM3支路中的KM2辅助动断触头返回接通电路,解除互锁,电动机主电路中KM2主触头断开,于此同时KM3支路中的时间继电器动合触头合上接通KM3中间继电器,KM3中间继电器主触头使电动机由Y启动运行状态改为正常△接运行状态;中间继电器KM2支路中的KM3辅助动断触头断开,切断KM2支路形成新的互锁;中间继电器KM3支路中的KM3辅助动合触头合上,形成自锁。

开关稳压电源电路由哪几部分组成?

本人从事网吧网管多年经验,所回答的全部都是个人见解和经验,不抄网上的答案,如果支持我,请把我的答案采纳,谢谢,欢迎以后有什么不懂的来问我,QQ:200935366
一种开关稳压电源电路
摘要:分析一种开关稳压电源的基本原理,介绍了它的电路结构及稳压过程。关键词:开关电源;自激式;功率转换
1开关稳压电路的工作原理开关稳压电源由输入部分。功率转换部分。输出部分。控制部分组成。功率转换部分是开关电源的核心,它对非稳定直流进行高频斩波并完成输出所需要的变换功能。它主要由开关三极管和高频变压器组成,电路如图1(a)所示,波形如图1(b)所示。
Ui是用电网交流220V直接整流滤波得到的直流高压(这样可省去工频变压器)。高频变压器的原绕组为N1,N2为变压器副绕组,供输出用。N3为基极正反馈绕组,R1是启动电阻,R2是限流电阻。加上电源时,电流通过R1流向开关管T的基极,使T导通。此时变压器副边的二极管反向偏置,于是T集电极电流和变压器绕组N1中电流相等。由于是从零起动,基极电流不大,就能使T导通。原绕组N1通过电流,产生上正下负的感应电压,经磁芯耦合,反馈绕组N3也产生感应电压UL3,并向T的基极注入iB,使T进一步导通,即UL3增加,iB增大,使iC进一步增大,这是一个正反馈雪崩过程。在T导通期间,副边因二极管反偏没有电流。当T进入高饱和区后,iC的变化率减小,原边N1绕组感应电压下降,同时反馈绕组N3电压下降,造成iB下降,iC下降,这再次形成一个正反馈雪崩过程,使开关管迅速截止。T的导通时间TON取决于iC达到饱和的时间。 T导通期间,副边电路截止,原边线圈储能。T截止时,N1的感应电压上负下正,相应地N3的电压上负下正,保证T截止,同时副边N2电压上正下负,D导通。由N2通过D向负载传送能量,副边绕组中电流iD线性下降,直到iD=0,电路恢复起始状态,开始一个新的周期,T再次导通。TOFF取决于副边绕组放电到零的时间。输出电压与开关管的导通时间成正比。2开关稳压电源的构成及稳压过程开关电源电路如图2所示。下面对这个电路的各个主要组成部分的作用及原理作分析。2.1输入部分 RT1.C1为输入滤波器(RC低通滤波器),L1.C2.C3为共模滤波器,可以衰减。削弱共模干扰,V1为全桥电路,桥式整流可防止输入电源极性接反烧坏电源电路,C4为滤波电容,R2.C5.V2构成主绕组吸收网络,其作用在后面保护部分详细叙述。2.2功率部分和部分驱动电路 V4为开关管,R1.R4为启动电阻,R5.C6及反馈绕组构成正反馈开关管驱动电路,V6.R7构成过激保护电路,R3.C8构成开关管吸收网络,减小其开关噪声。
2.3输出部分 (1)V9.C10.C11.L2.C12.C13和线性集成稳压器N1构成24V整流滤波及稳压电路,R10.HL4构成24V发光二极管指示电路,R34.XJD构成失压告警电路。 (2)V10.C14.C15.L3.C16构成+5V整流滤波电路,R11为固定负载,R12.HL1为+5V发光二极管指示电路。R31为+5V测试限流电阻。2.4采样和控制部分 R14.R15.RP1和稳压管N2构成+5V取样测量回路,C17用于防止稳压管N2自激。光隔N3实现取样电路与开关管的电隔离,V8.C9对光隔起保护作用并抑制自激,V5为脉宽控制管,R6.C7.V7.R8构成电流负反馈回路,R9为限流电阻。2.5电路稳压的过程如上所述,通过改变开关管V4的导通时间TON即可达到稳定输出电压的目的。当输出电压高于+5V时,稳压管N2击穿导通,使光电隔离器中的发光二极管导通,其亮度增大,光敏三极管的电流增大,管压降减小,V5导通。由于V5集电极电流IC5的分流作用,使开关三极管V4的基极电流减小,促使V4导通时间缩短,提前截止,变压器原绕组N1储能减小,从而使输出电压UO降低。当输出电压低于+5V时,稳压管N2截止,光电三极管N3截止,V5也趋于截止,使V4的基极电流增加,导通时间延长,使N1储能增加,于是输出电压UO升高。2.6保护电路这里讨论对开关管V4采取的两种保护措施。 (1)过流保护 V4的过流保护元件为R6.C7.V7.R8。当V4管电流增大时,电阻R6上产生的压降也增大,V5基极电位升高,使V5导通加剧,V5的集电极分流使V4的基极电流减小,V4的集电极电流也减小,最终V4截止,使V4不会因过流而烧坏。 (2)过压保护变压器原绕组N1上接有的二极管V2.电阻R2和电容C5,目的在于放掉积蓄在变压器漏感上能量。否则,开关管截止的瞬间会出现很高的浪涌电压,它重迭在开关管的集电极电压上,很容易将开关管击穿。3结束语这种开关稳压电源有很多优点,在SF600收发信机的实际应用中效果良好。但也存在缺点,需改进。如因为只从一组取样反馈,不能保证多路输出稳定等。24V一路只能靠加集成线性稳压器7824来解决稳压问题。

一张手机的内存卡那么小,怎么能存放那么多东西。为什么?

存储原理,还是要从EPROM和EEPROM说起。 EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路(存储细胞)如下图所示,常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为e799bee5baa6e997aee7ad94e59b9ee7ad9431333335323964FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(譬如负电荷),就在其下面,源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0。若浮空栅极不带电,则不形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。 EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似,它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅,前者称为第一级浮空栅,后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极,使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压,第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应,使电子注入第一浮空栅极,即编程写入。若使VG为负电压,强使第一级浮空栅极的电子散失,即擦除。擦除后可重新写入。 闪存的基本单元电路如下图所示,与EEPROM类似,也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄,作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同,在第二级浮空栅加以正电压,使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应,把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除,因此各单元的源极联在一起,这样,快擦存储器不能按字节擦除,而是全片或分块擦除。 到后来,随着半导体技术的改进,闪存也实现了单晶体管(1T)的设计,主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅, 在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0,无电子为1。 闪存就如同其名字一样,写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。 写入时只有数据为0时才进行写入,数据为1时则什么也不做。写入0时,向栅电极和漏极施加高电压,增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来,电子就会突破氧化膜绝缘体,进入浮动栅。 读取数据时,向栅电极施加一定的电压,电流大为1,电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态(数据为1)下,在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压,源极和漏极之间由于大量电子的移动,就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态(数据为0)下,沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后,很难对沟道产生影响。

版权声明:本站内容由互联网用户投稿自发贡献或转载于互联网,文章观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至2024tuiguang@gmail.com举报,一经查实,本站将立刻删除。

合作:2024tuiguang@gmail.com